
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 300mV
- Pin Sayısı
- 3
- Transistor Application
- SWITCHING
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
- Temel Parça No
- BCR135
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Kılıf / Paket
- SC-70, SOT-323
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj
- Surface Mount
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Resistor Emitter Base R2
- 47 k Ω
- Yükseklik
- 800μm
- Genişlik
- 1.25mm
- Contact Plating
- Tin
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 3
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Type
- NPN - Pre-Biased
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Resistor Base R1
- 10 k Ω
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Halogen Free
- Halogen Free
- Hfemin
- 70
- JESD-609 Kodu
- e3
- Yayın Yılı
- 2011
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Number Of Elements
- 1
- Reference Standard
- AEC-Q101
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA 5V
- Frequency Transition
- 150MHz
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Terminal Formu
- GULL WING
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Transition Frequency
- 150MHz
- Polarity
- NPN
- Max Collector Current
- 100mA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
İlgili Ürünler
AMI Semiconductor
DTC124XM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA115EET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA115TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA123JM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA124EM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA143ZM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA144WET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTC123TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors

