Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Resistor Base R1
- 2.2 kOhms
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Formu
- FLAT
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Pin Sayısı
- 3
- Paket
- Bulk
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Yüzey Montaj
- YES
- Max Collector Current
- 100mA
- Pin Sayısı
- 3
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- JESD-609 Kodu
- e3
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SOT-723
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 250mV
- Element Configuration
- Single
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 160 @ 5mA, 10V
- Terminal Sayısı
- 3
- Hfemin
- 160
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTOR
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Transistor Type
- NPN - Pre-Biased
- Polarity
- NPN
- Lifecycle Status
- ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- Power Max
- 260mW
- Ürün Durumu
- Active
- Üretici Parça No
- 7000-41581-2260000
- Kılıf / Paket
- SOT-723
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Yayın Yılı
- 2009
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Lead Free Status Rohs Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 1mA, 10mA
- Kurşunsuz
- Lead Free
İlgili Ürünler
AMI Semiconductor
DTC124XM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA115EET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA115TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA123JM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA124EM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA143ZM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA144WET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTC143TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors

