Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Hfemin
- 80
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
- Fabrika Tedarik Süresi
- 2 Weeks
- Temel Parça No
- DTC124
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Element Configuration
- Single
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 5mA, 10V
- Terminal Sayısı
- 3
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Montaj
- Surface Mount
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Max Collector Current
- 100mA
- Power Dissipation
- 260mW
- Pin Sayısı
- 3
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SOT-723
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- JESD-609 Kodu
- e3
- Resistor Base R1
- 22 kOhms
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Other Names
- DTC124XM3T5G-ND DTC124XM3T5GOSTR
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Akım Değeri
- 100mA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Terminal Formu
- FLAT
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Pin Sayısı
- 3
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Max Power Dissipation
- 260mW
- Number Of Elements
- 1
- Transistor Application
- SWITCHING
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
İlgili Ürünler
AMI Semiconductor
DTA115EET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA115TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA123JM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA124EM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA143ZM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA144WET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTC123TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTC143TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors

