Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Temel Parça No
- DTA124
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Lifecycle Status
- ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Polarity
- PNP
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Resistor Base R1
- 22 kOhms
- Akım Değeri
- -100mA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SOT-723
- Transistor Type
- PNP - Pre-Biased
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Voltage Rated Dc
- -50V
- Yayın Yılı
- 2009
- Other Names
- DTA124EM3T5G-ND DTA124EM3T5GOSTR
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Max Power Dissipation
- 260mW
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Hfemin
- 60
- Yüzey Montaj
- YES
- Kılıf / Paket
- SOT-723
- Power Dissipation
- 260mW
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Formu
- FLAT
- Max Collector Current
- 100mA
- Pin Sayısı
- 3
- Terminal Sayısı
- 3
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Parça Durumu
- Active
- Kurşunsuz
- Lead Free
- JESD-609 Kodu
- e3
- Power Max
- 260mW
- Halogen Free
- Halogen Free
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 300µA, 10mA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
İlgili Ürünler
AMI Semiconductor
DTC124XM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA115EET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA115TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA123JM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA143ZM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA144WET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTC123TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTC143TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors

