
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Application
- SWITCHING
- Transition Frequency
- 130MHz
- Terminal Formu
- GULL WING
- Yayın Yılı
- 2007
- Power Max
- 200mW
- Polaritychannel Type
- NPN
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G3
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Resistor Emitter Base R2
- 10 k Ω
- Yüzey Montaj
- YES
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Resistor Base R1
- 10 k Ω
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Operating Temperature Max
- 150°C
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Temel Parça No
- BCR133
- Configuration
- SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Transistor Type
- NPN - Pre-Biased
- Frequency Transition
- 130MHz
- Terminal Sayısı
- 3
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 5mA 5V
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Transistor Element Material
- SILICON
- Number Of Elements
- 1
- Parça Durumu
- Discontinued
İlgili Ürünler
AMI Semiconductor
DTC124XM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA115EET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA115TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA123JM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA124EM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA143ZM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA144WET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTC123TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors

