Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Max
- 250mW
- Temel Parça No
- BCR112
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Yayın Yılı
- 2011
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- SC-70, SOT-323
- Montaj
- Surface Mount
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 20 @ 5mA 5V
- Frequency Transition
- 140MHz
- Resistor Emitter Base R2
- 4.7 kOhms
- Parça Durumu
- Obsolete
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- PG-SOT323-3
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Max Collector Current
- 100mA
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Transistor Type
- NPN - Pre-Biased
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Resistor Base R1
- 4.7 kOhms
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
İlgili Ürünler
AMI Semiconductor
DTC124XM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA115EET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA115TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA123JM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA124EM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA143ZM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA144WET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTC123TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors