Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yüzey Montaj
- YES
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 1mA, 10mA
- Uzunluk
- 1.25mm
- Terminal Sayısı
- 3
- Power Dissipation
- 260mW
- Yayın Yılı
- 2006
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 250mV
- Power Max
- 260mW
- Transistor Type
- NPN - Pre-Biased
- Max Power Dissipation
- 260mW
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 160 @ 5mA, 10V
- Max Collector Current
- 100mA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Genişlik
- 850μm
- Resistor Base R1
- 4.7 kOhms
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Pin Sayısı
- 3
- Yükseklik
- 550μm
- Akım Değeri
- 100mA
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Lifecycle Status
- ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Hfemin
- 160
- Kılıf / Paket
- SOT-723
- Parça Durumu
- Active
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- ECCN Kodu
- EAR99
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Other Names
- DTC143TM3T5GOSCT
İlgili Ürünler
AMI Semiconductor
DTC124XM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA115EET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA115TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA123JM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA124EM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA143ZM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTA144WET1G
Pre-Biased BJT Transistors
AMI Semiconductor
DTC123TM3T5G
Pre-Biased BJT Transistors

