+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
W987D6HBGX6E

Winbond Electronics

W987D6HBGX6E

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Supply Voltagemax Vsup
1.95V
Memory Format
DRAM
Interleaved Burst Length
1248
Memory Types
Volatile
Uzunluk
9mm
Operating Mode
SYNCHRONOUS
Fonksiyon Sayısı
1
Qualification Status
Not Qualified
Output Characteristics
3-STATE
Yüzey Montaj
YES
Clock Frequency
166MHz
Write Cycle Time Word Page
15ns
Genişlik
8mm
Memory Density
134217728 bit
Jesd30 Code
R-PBGA-B54
Io Type
COMMON
Kılıf / Paket
54-TFBGA
Standby Currentmax
0.00001A
Memory Interface
Parallel
Montaj Tipi
Surface Mount
Yayın Yılı
2011
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Memory Width
16
Maks. Oturma Yüksekliği
1.025mm
Sequential Burst Length
1248FP
Terminal Sayısı
54
Supply Voltagemin Vsup
1.7V
Power Supplies
1.8V
Memory Size
128Mb 8M x 16
Çalışma Sıcaklığı
-25°C~85°C TC
Besleme Gerilimi
1.8V
Refresh Cycles
4096
Parça Durumu
Not For New Designs
Ambalaj
Tray
Access Time
5.4ns
Additional Feature
AUTO/SELF REFRESH
Number Of Ports
1
Organization
8MX16
Terminal Pozisyonu
BOTTOM

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek