Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Interface
- Single Wire
- Pin Sayısı
- 3
- Clock Frequency
- 100kHz
- JESD-609 Kodu
- e3
- Parça Durumu
- Active
- Power Supplies
- 2/5V
- Density
- 1 kb
- Ambalaj
- Bulk
- Terminal Sayısı
- 3
- Nominal Supply Current
- 5mA
- Yayın Yılı
- 2009
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Format
- EEPROM
- Organization
- 128X8
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Temel Parça No
- 11AA010
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Kılıf / Paket
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.8V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Memory Size
- 1Kb 128 x 8
- ECCN Kodu
- EAR99
- Data Retention Timemin
- 200
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Serial Bus Type
- 1-WIRE
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Montaj
- Through Hole
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Pin Sayısı
- 3
- Write Protection
- SOFTWARE
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Memory Width
- 8
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory
Microchip Technology
11AA020-I/MS
Memory