Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Memory Types
- Non-Volatile
- Temel Parça No
- 11AA010
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Active
- Power Supplies
- 2/5V
- Density
- 1 kb
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Terminal Sayısı
- 8
- Memory Interface
- Single Wire
- Pin Sayısı
- 8
- Clock Frequency
- 100kHz
- JESD-609 Kodu
- e3
- Yayın Yılı
- 2009
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Format
- EEPROM
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Nominal Supply Current
- 5mA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Width
- 8
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Interface
- Serial
- Genişlik
- 3.9mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Write Cycle Timemax Twc
- 10ms
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Uzunluk
- 4.9mm
- Data Retention Timemin
- 200
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Serial Bus Type
- 1-WIRE
- Contact Plating
- Tin
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory
Microchip Technology
11AA020-I/MS
Memory