Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Memory Width
- 16
- Yayın Yılı
- 2015
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Memory Size
- 128Mb 8M x 16
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Terminal Sayısı
- 54
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Access Time
- 5ns
- Ambalaj
- Tray
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Organization
- 8MX16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Number Of Ports
- 1
- Memory Format
- DRAM
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Uzunluk
- 22.22mm
- Memory Types
- Volatile
- ECCN Kodu
- EAR99
- Genişlik
- 10.16mm
- Clock Frequency
- 166MHz
- Yüzey Montaj
- YES
- Memory Interface
- Parallel
- JESD-609 Kodu
- e3
- Kılıf / Paket
- 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Memory Density
- 134217728 bit
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G54
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory