+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
W978H6KBVX2E

Winbond Electronics

W978H6KBVX2E

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Memory Interface
Parallel
Kılıf / Paket
134-VFBGA
Memory Density
268435456 bit
Genişlik
10mm
Write Cycle Time Word Page
15ns
Clock Frequency
400MHz
Yüzey Montaj
YES
Pin Sayısı
134
Fonksiyon Sayısı
1
Operating Mode
SYNCHRONOUS
Uzunluk
11.5mm
Memory Types
Volatile
Memory Format
DRAM
Access Mode
FOUR BANK PAGE BURST
Supply Voltagemax Vsup
1.3V
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Fabrika Tedarik Süresi
10 Weeks
Terminal Adımı
0.65mm
Besleme Gerilimi
1.14V~1.95V
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Organization
16MX16
Additional Feature
AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
Number Of Ports
1
Ambalaj
Tray
Parça Durumu
Active
Besleme Gerilimi
1.2V
Çalışma Sıcaklığı
-25°C~85°C TC
Supply Voltagemin Vsup
1.14V
Memory Size
256Mb 16M x 16
Terminal Sayısı
134
Maks. Oturma Yüksekliği
1mm
Memory Width
16
Montaj Tipi
Surface Mount
Yayın Yılı
2016
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek