Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~85°C TC
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Memory Size
- 512Mb 32M x 16
- Terminal Sayısı
- 84
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Sequential Burst Length
- 48
- Memory Width
- 16
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Yayın Yılı
- 2009
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Address Bus Width
- 15b
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Organization
- 32MX16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Density
- 512 Mb
- Number Of Ports
- 1
- Access Time
- 400ps
- Data Bus Width
- 16b
- Ambalaj
- Tray
- Parça Durumu
- Obsolete
- Refresh Cycles
- 8192
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Pin Sayısı
- 84
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 12.5mm
- Memory Types
- Volatile
- Interleaved Burst Length
- 48
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Format
- DRAM
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Interface
- Parallel
- Standby Currentmax
- 0.008A
- Kılıf / Paket
- 84-TFBGA
- Max Frequency
- 800MHz
- HTS Kodu
- 8542.32.00.28
- Io Type
- COMMON
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory