Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Format
- DRAM
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Types
- Volatile
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Uzunluk
- 12.5mm
- Pin Sayısı
- 60
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Genişlik
- 8mm
- Clock Frequency
- 200MHz
- Yüzey Montaj
- YES
- Kılıf / Paket
- 60-TFBGA
- Memory Interface
- Parallel
- Jesd30 Code
- R-PBGA-B60
- Memory Density
- 268435456 bit
- HTS Kodu
- 8542.32.00.24
- Memory Width
- 8
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yayın Yılı
- 2016
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~85°C TC
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Memory Size
- 256Mb 32M x 8
- Terminal Sayısı
- 60
- Parça Durumu
- Active
- Ambalaj
- Tray
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Access Time
- 400ps
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Number Of Ports
- 1
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Organization
- 32MX8
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory