Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.025mm
- Sequential Burst Length
- 24816
- Memory Width
- 16
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yayın Yılı
- 2016
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Memory Size
- 1Gb 64M x 16
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Çalışma Sıcaklığı
- -25°C~85°C TC
- Nominal Supply Current
- 115mA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Sayısı
- 60
- Access Time
- 5ns
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Refresh Cycles
- 8192
- Parça Durumu
- Active
- Ambalaj
- Tray
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.95V
- Address Bus Width
- 16b
- Organization
- 64MX16
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Number Of Ports
- 1
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Density
- 1 Gb
- Memory Format
- DRAM
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.95V
- Pin Sayısı
- 60
- Qualification Status
- Not Qualified
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 9mm
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Interleaved Burst Length
- 24816
- Memory Types
- Volatile
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Yüzey Montaj
- YES
- Clock Frequency
- 200MHz
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory