Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Pin Sayısı
- 60
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Clock Frequency
- 200MHz
- Kılıf / Paket
- 60-TFBGA
- Standby Currentmax
- 0.00001A
- Memory Interface
- Parallel
- Io Type
- COMMON
- HTS Kodu
- 8542.32.00.02
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Format
- DRAM
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.95V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Pin Sayısı
- 60
- ECCN Kodu
- EAR99
- Interleaved Burst Length
- 24816
- Memory Types
- Volatile
- Uzunluk
- 9mm
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Ambalaj
- Tray
- Parça Durumu
- Active
- Refresh Cycles
- 4096
- Access Time
- 5ns
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.95V
- Address Bus Width
- 14b
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Number Of Ports
- 1
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Density
- 128 Mb
- Organization
- 8MX16
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Memory Width
- 16
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.025mm
- Sequential Burst Length
- 24816
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yayın Yılı
- 2011
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory