Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Pin Sayısı
- 60
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Pin Sayısı
- 60
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- ECCN Kodu
- EAR99
- Interleaved Burst Length
- 248
- Supply Voltagemax Vsup
- 2.7V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Address Bus Width
- 15b
- Besleme Gerilimi
- 2.3V~2.7V
- Organization
- 16MX16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Access Time
- 55ns
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Memory Size
- 256Mb 16M x 16
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.3V
- Nominal Supply Current
- 120mA
- Terminal Sayısı
- 60
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Montaj
- Surface Mount
- Memory Interface
- Parallel
- Standby Currentmax
- 0.005A
- Kılıf / Paket
- 60-TFBGA
- HTS Kodu
- 8542.32.00.24
- Io Type
- COMMON
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Clock Frequency
- 200MHz
- Operating Supply Voltage
- 2.5V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Uzunluk
- 13mm
- Memory Types
- Volatile
- Memory Format
- DRAM
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Number Of Ports
- 1
- Density
- 256 Mb
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory