+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
W25Q80JVSSIQ

Winbond Electronics

W25Q80JVSSIQ

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Clock Frequency
133MHz
Write Cycle Time Word Page
3ms
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Yüzey Montaj
YES
Yayın Yılı
2013
Memory Size
8Mb 1M x 8
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Terminal Adımı
1.27mm
Memory Types
Non-Volatile
Maks. Oturma Yüksekliği
2.16mm
Memory Interface
SPI
Programming Voltage
3V
Seri
SpiFlash®
Memory Format
FLASH
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Ambalaj
Tube
Fonksiyon Sayısı
1
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Kılıf / Paket
8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
Uzunluk
5.28mm
Genişlik
5.28mm
Fabrika Tedarik Süresi
20 Weeks
Operating Mode
SYNCHRONOUS
Besleme Gerilimi
3V
Terminal Pozisyonu
DUAL
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Organization
1MX8
Terminal Sayısı
8
Jesd30 Code
S-PDSO-G8
Parça Durumu
Obsolete
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Parallelserial
SERIAL
Memory Density
8388608 bit
Montaj Tipi
Surface Mount
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Memory Width
8

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek