Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Yükseklik
- 1.75mm
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Organization
- 8MX1
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Terminal Sayısı
- 8
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Parallelserial
- SERIAL
- Memory Density
- 8388608 bit
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Memory Width
- 1
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Clock Frequency
- 104MHz
- Write Cycle Time Word Page
- 3ms
- Yayın Yılı
- 2010
- Yüzey Montaj
- YES
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Ambient Temperature Range High
- 85°C
- Memory Size
- 8Mb 1M x 8
- Serial Bus Type
- SPI
- Power Supplies
- 3/3.3V
- Programming Voltage
- 3V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Memory Interface
- SPI
- Seri
- SpiFlash®
- Data Retention Timemin
- 20
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Ambalaj
- Tube
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Format
- FLASH
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory