+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
W25Q80BVSNIG

Winbond Electronics

W25Q80BVSNIG

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Memory Size
8Mb 1M x 8
Serial Bus Type
SPI
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Terminal Adımı
1.27mm
Memory Types
Non-Volatile
Pin Sayısı
8
Maks. Oturma Yüksekliği
1.75mm
Memory Interface
SPI
Operating Supply Voltage
3.3V
Programming Voltage
2.7V
Write Cycle Time Word Page
3ms
ECCN Kodu
3A991.B.1.B.1
Clock Frequency
104MHz
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Syncasync
Asynchronous
Endurance
100000 Write/Erase Cycles
Radyasyon Dayanımı
No
Write Protection
HARDWARE/SOFTWARE
Yayın Yılı
2009
Access Time
8.5 ns
Fonksiyon Sayısı
1
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Kılıf / Paket
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Uzunluk
4.9mm
Seri
SpiFlash®
Data Retention Timemin
20
Memory Format
FLASH
Ambalaj
Tube
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Terminal Sayısı
8
Word Size
8b
Montaj
Surface Mount
Besleme Gerilimi
3V
Terminal Pozisyonu
DUAL
Density
8 Mb
Montaj Tipi
Surface Mount
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Memory Width
1
Nominal Supply Current
18mA

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek