Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Genişlik
- 5.28mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Format
- FLASH
- Jesd30 Code
- S-PDSO-G8
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.95V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.16mm
- Memory Width
- 1
- Programming Voltage
- 1.8V
- Yayın Yılı
- 2016
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Parça Durumu
- Active
- Interface
- SPI, Serial
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Memory Size
- 128Mb 16M x 8
- Uzunluk
- 5.28mm
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Density
- 134217728 bit
- Supply Currentmax
- 0.025mA
- Ambalaj
- Tube
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Seri
- SpiFlash®
- Write Cycle Time Word Page
- 60μs, 5ms
- Yüzey Montaj
- YES
- Standby Currentmax
- 0.00002A
- Data Retention Timemin
- 20
- Serial Bus Type
- SPI
- Clock Frequency
- 104MHz
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Qualification Status
- Not Qualified
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O, QPI
- Organization
- 128MX1
- Pin Sayısı
- 8
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory