+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
NAND01GW3B2AN6F

STMicroelectronics

NAND01GW3B2AN6F

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Number Of Sectorssize
1K
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Command User Interface
YES
Terminal Adımı
0.5mm
Memory Size
1Gb 128M x 8
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Uzunluk
18.4mm
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Programming Voltage
3V
Memory Width
8
Qualification Status
Not Qualified
REACH Uyumluluk Kodu
unknown
Readybusy
YES
Terminal Sayısı
48
Memory Density
1073741824 bit
Write Cycle Time Word Page
30ns
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
JESD-609 Kodu
e3/e6
ECCN Kodu
3A991.B.1.A
Yüzey Montaj
YES
Organization
128MX8
Parça Durumu
Obsolete
Standby Currentmax
0.00005A
Page Size
2Kwords
Terminal Pozisyonu
DUAL
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Memory Format
FLASH
Data Polling
NO
Besleme Gerilimi
3V
Memory Interface
Parallel
Montaj Tipi
Surface Mount
Pin Sayısı
48
Fonksiyon Sayısı
1
Toggle Bit
NO
Terminal Kaplaması
TIN/TIN BISMUTH
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Temel Parça No
NAND01
Pin Sayısı
48

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek