Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$22.93
- 10+ adet$21.63
- 100+ adet$20.41
- 500+ adet$19.25
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e3
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Besleme Gerilimi
- 4.75V~5.5V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
- Access Time Max
- 70 ns
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Montaj
- Through Hole
- Uzunluk
- 34.8mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Memory Size
- 16Kb 2K x 8
- Terminal Sayısı
- 24
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Genişlik
- 18.34mm
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 24
- Yükseklik
- 8.89mm
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kılıf / Paket
- 24-DIP Module (0.600, 15.24mm)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 25 Weeks
- Reach Svhc
- No SVHC
- Memory Format
- NVSRAM
- Standby Currentmax
- 0.003A
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Usage Level
- Commercial grade
- Word Size
- 8b
- Memory Interface
- Parallel
- Frekans
- 70GHz
- Parça Durumu
- Active
- Pin Sayısı
- 24
- Organization
- 2KX8
- Output Enable
- YES
- Data Bus Width
- 8b
- Ambalaj
- Tube
- Power Supplies
- 5V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory