Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Genişlik
- 3.9mm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Interface
- SPI
- Memory Density
- 2048 bit
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Active
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Uzunluk
- 4.9mm
- Supply Voltagemin Vsup
- 4.5V
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Memory Size
- 2Kb 256 x 8 128 x 16
- Serial Bus Type
- 3-WIRE
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Clock Frequency
- 3MHz
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Parallelserial
- SERIAL
- Alternate Memory Width
- 8
- Yüzey Montaj
- YES
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Additional Feature
- SEATED HT-CALCULATED, ALSO AVAILABLE 1.7V-2.5V OPERATES WITH 1MHZ, 2.5V-4.5V OPERATES WITH 2MHZ
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.65mm
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~5.5V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Types
- Non-Volatile
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Terminal Sayısı
- 8
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Memory Format
- EEPROM
- Organization
- 128X16
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Memory Width
- 16
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory