+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
BR25L160FVT-WE2

ROHM Semiconductor

BR25L160FVT-WE2

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Fonksiyon Sayısı
1
Besleme Gerilimi
1.8V~5.5V
Maks. Oturma Yüksekliği
1.25mm
Kurşunsuz Kodu
yes
Memory Types
Non-Volatile
Terminal Adımı
0.65mm
Yayın Yılı
2005
Contact Plating
Tin
Write Cycle Timemax Twc
5ms
Terminal Sayısı
8
Pin Sayısı
8
Memory Width
8
Memory Format
EEPROM
Besleme Gerilimi
2.5V
Endurance
1000000 Write/Erase Cycles
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Clock Frequency
5MHz
Write Cycle Time Word Page
5ms
Pin Sayısı
8
Operating Supply Voltage
5V
Density
16 kb
Data Retention Timemin
40
Kılıf / Paket
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
Kurşunsuz
Lead Free
JESD-609 Kodu
e2
Interface
SPI, Serial
Access Time
70 ns
Standby Currentmax
0.000002A
Memory Size
16Kb 2K x 8
Serial Bus Type
SPI
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Radyasyon Dayanımı
No
Temel Parça No
BR25L160
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
10
ECCN Kodu
EAR99
Write Protection
HARDWARE/SOFTWARE
Terminal Pozisyonu
DUAL
Genişlik
3mm

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek