Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 1.6V~5.5V
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.9mm
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Memory Types
- Non-Volatile
- Contact Plating
- Copper, Tin
- Yayın Yılı
- 2013
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Terminal Sayısı
- 8
- Memory Width
- 8
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Memory Format
- EEPROM
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 225
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Clock Frequency
- 400kHz
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Pin Sayısı
- 8
- Data Retention Timemin
- 40
- Density
- 64 kb
- Kılıf / Paket
- 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110, 2.80mm Width)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Interface
- 2-Wire, I2C, Serial
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.6V
- Access Time
- 900 ns
- Standby Currentmax
- 0.000002A
- Serial Bus Type
- I2C
- Memory Size
- 64Kb 8K x 8
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Temel Parça No
- BR24T64
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Write Protection
- HARDWARE
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory