+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
RMLV0816BGBG-4S2#KC0

Renesas Electronics America

RMLV0816BGBG-4S2#KC0

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Memory Types
Volatile
Parça Durumu
Active
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Pin Sayısı
48
Montaj Tipi
Surface Mount
Yüzey Montaj
YES
Fonksiyon Sayısı
1
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Access Time Max
45 ns
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Fabrika Tedarik Süresi
18 Weeks
Kılıf / Paket
48-TFBGA
Memory Interface
Parallel
Memory Density
8388608 bit
Memory Size
8Mb 512K x 16
Write Cycle Time Word Page
45ns
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Organization
512KX16
Yayın Yılı
2015
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Besleme Gerilimi
2.4V~3.6V
Jesd30 Code
R-PBGA-B48
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Memory Format
SRAM
Besleme Gerilimi
3V
Terminal Sayısı
48
Kurşunsuz Kodu
yes
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Memory Width
16

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek