+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
RMLV0416EGSB-4S2#AA1

Renesas Electronics America

RMLV0416EGSB-4S2#AA1

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Fonksiyon Sayısı
1
Access Time Max
45 ns
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Yüzey Montaj
YES
Kılıf / Paket
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Fabrika Tedarik Süresi
18 Weeks
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Parça Durumu
Active
Memory Types
Volatile
Montaj Tipi
Surface Mount
Pin Sayısı
44
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Memory Format
SRAM
Ambalaj
Tube
Besleme Gerilimi
3V
Memory Width
16
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Terminal Sayısı
44
Kurşunsuz Kodu
yes
Memory Size
4Mb 256K x 16
Memory Interface
Parallel
Memory Density
4194304 bit
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Jesd30 Code
R-PDSO-G44
Write Cycle Time Word Page
45ns
Terminal Pozisyonu
DUAL
Organization
256KX16
Operating Mode
ASYNCHRONOUS

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek