Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Uzunluk
- 4.9mm
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Usage Level
- Automotive grade
- Memory Size
- 1Kb 128 x 8
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Memory Interface
- SPI
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Access Time
- 40ns
- JESD-609 Kodu
- e4
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Organization
- 128X8
- Parallelserial
- SERIAL
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Seri
- Automotive, AEC-Q100
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Format
- EEPROM
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Width
- 8
- Lifecycle Status
- ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Clock Frequency
- 10MHz
- Genişlik
- 3.9mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Sayısı
- 8
- Write Cycle Time Word Page
- 4ms
- Fabrika Tedarik Süresi
- 4 Weeks
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Memory Types
- Non-Volatile
- Memory Density
- 1024 bit
- Yüzey Montaj
- YES
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Write Cycle Timemax Twc
- 4ms
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~150°C TA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory