Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$1.35
- 10+ adet$1.28
- 100+ adet$1.20
- 500+ adet$1.14
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Besleme Gerilimi
- 2.6V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Yayın Yılı
- 2012
- Operating Supply Voltage
- 2.6V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Yüzey Montaj
- YES
- Besleme Gerilimi
- 2.45V~3.6V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 4 Weeks
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.45V
- Density
- 8 Mb
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- JESD-609 Kodu
- e3
- Write Cycle Time Word Page
- 1ms
- Page Size
- 256B
- Terminal Sayısı
- 8
- Parça Durumu
- Active
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Clock Frequency
- 30MHz
- Memory Types
- Non-Volatile
- Uzunluk
- 6mm
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Memory Interface
- SPI
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Memory Format
- FLASH
- Çalışma Sıcaklığı
- -20°C~70°C TA
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Width
- 8
- Lifecycle Status
- ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Additional Feature
- OPERATING TEMP FOR WRITE OPERATION 0 TO 70
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Pin Sayısı
- 8
- Genişlik
- 5mm
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Interface
- SPI, Serial
- Programming Voltage
- 3V
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory