Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$1.61
- 10+ adet$1.52
- 100+ adet$1.43
- 500+ adet$1.35
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- JESD-609 Kodu
- e3
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Uzunluk
- 4.9mm
- Memory Density
- 4194304 bit
- Memory Types
- Non-Volatile
- Clock Frequency
- 30MHz
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 8
- Parça Durumu
- Active
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.3V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Organization
- 512KX8
- Besleme Gerilimi
- 2.3V~3.6V
- Yüzey Montaj
- YES
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Programming Voltage
- 2.7V
- Interface
- SPI, Serial
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Memory Width
- 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Format
- FLASH
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Memory Interface
- SPI
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Genişlik
- 3.9mm
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory