Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Contact Plating
- Gold
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Genişlik
- 3mm
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Serial Bus Type
- SPI
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Pin Sayısı
- 8
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Yayın Yılı
- 2016
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.8V
- Memory Format
- EEPROM
- Memory Width
- 8
- JESD-609 Kodu
- e4
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Montaj
- Surface Mount
- Uzunluk
- 4.4mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Kılıf / Paket
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Density
- 1 Mb
- Fabrika Tedarik Süresi
- 20 Weeks
- Interface
- SPI, Serial
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Ambalaj
- Tube
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Terminal Sayısı
- 8
- ECCN Kodu
- EAR99
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Organization
- 128KX8
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory