Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 64
- Memory Size
- 256Mb 32M x 8 16M x 16
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Memory Interface
- Parallel
- Terminal Sayısı
- 64
- Uzunluk
- 13mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Ambalaj
- Tray
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Pin Sayısı
- 64
- Density
- 256 Mb
- Alternate Memory Width
- 8
- Contact Plating
- Lead, Silver, Tin
- Yüzey Montaj
- YES
- Temel Parça No
- 28F256J3
- JESD-609 Kodu
- e0
- Syncasync
- Asynchronous
- Yayın Yılı
- 2008
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 235
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD SILVER
- Nominal Supply Current
- 31mA
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Genişlik
- 10mm
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Seri
- StrataFlash™
- Terminal Adımı
- 1mm
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Access Time Max
- 95 ns
- Memory Types
- Non-Volatile
- Memory Width
- 16
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.A
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 64-TBGA
- Write Cycle Time Word Page
- 95ns
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory