+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
NAND512W3A2SZA6E

Micron Technology Inc.

NAND512W3A2SZA6E

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı
63
Montaj
Surface Mount
Write Cycle Time Word Page
50ns
Syncasync
Asynchronous
Voltage Rated Dc
3V
Address Bus Width
26b
JESD-609 Kodu
e2
Nominal Supply Current
20mA
ECCN Kodu
3A991.B.1.A
Standby Currentmax
0.00005A
Radyasyon Dayanımı
No
Parça Durumu
Obsolete
Organization
64MX8
Number Of Sectorssize
4K
Ambalaj
Tray
Memory Size
512Mb 64M x 8
Command User Interface
YES
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Terminal Adımı
0.8mm
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Uzunluk
11mm
Readybusy
YES
Memory Width
8
Density
512 Mb
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Temel Parça No
NAND512
Gerilim
3V
Access Time Max
35 ns
Sector Size
16K
Yayın Yılı
2004
Memory Types
Non-Volatile
Maks. Oturma Yüksekliği
1.05mm
Kılıf / Paket
63-TFBGA
HTS Kodu
8542.32.00.51
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Page Size
512B
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Data Polling
NO
Besleme Gerilimi
3V

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek