+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
NAND256W3A2BN6E

Micron Technology Inc.

NAND256W3A2BN6E

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Memory Width
8
Readybusy
YES
Reach Svhc
No SVHC
Uzunluk
18.4mm
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Kurşunsuz Kodu
yes
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Command User Interface
YES
Terminal Adımı
0.5mm
Memory Size
256Mb 32M x 8
Ambalaj
Tray
Number Of Sectorssize
2K
Radyasyon Dayanımı
No
Parça Durumu
Obsolete
Organization
32MX8
Standby Currentmax
0.00005A
JESD-609 Kodu
e3
Nominal Supply Current
20mA
ECCN Kodu
3A991.B.1.A
Address Bus Width
25b
Syncasync
Asynchronous
Voltage Rated Dc
3V
Montaj
Surface Mount
Write Cycle Time Word Page
50ns
Terminal Sayısı
48
Terminal
SMD/SMT
Fonksiyon Sayısı
1
Toggle Bit
NO
Terminal Kaplaması
Matte Tin (Sn)
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Memory Interface
Parallel
Montaj Tipi
Surface Mount
Pin Sayısı
48
Word Size
8b
Memory Format
FLASH
Data Polling
NO
Besleme Gerilimi
3V
Contact Plating
Gold, Tin
Page Size
528B
Terminal Pozisyonu
DUAL

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek