Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Gerilim
- 2.7V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Nominal Supply Current
- 20mA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Page Size
- 256B
- Clock Frequency
- 108MHz
- Memory Interface
- SPI
- Syncasync
- Synchronous
- Data Retention Timemin
- 20
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Write Cycle Timemax Twc
- 8ms
- Pin Sayısı
- 16
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Width
- 1
- Memory Format
- FLASH
- Word Size
- 8b
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Kılıf / Paket
- 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Serial Bus Type
- SPI
- Pin Sayısı
- 16
- Write Cycle Time Word Page
- 8ms, 5ms
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.65mm
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Organization
- 256MX1
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Yüzey Montaj
- YES
- Access Time
- 8 ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Address Bus Width
- 25b
- Memory Types
- Non-Volatile
- Uzunluk
- 10.3mm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Yayın Yılı
- 2012
- Memory Size
- 256Mb 64M x 4
- Terminal Sayısı
- 16
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory