Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time
- 700ps
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.3V
- Memory Types
- Volatile
- Parça Durumu
- Obsolete
- Standby Currentmax
- 0.01A
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Pin Sayısı
- 66
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Io Type
- COMMON
- Nominal Supply Current
- 230mA
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Interleaved Burst Length
- 248
- Ambalaj
- Tray
- Sequential Burst Length
- 248
- Operating Supply Voltage
- 2.5V
- Memory Size
- 1Gb 128M x 8
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Memory Interface
- Parallel
- Organization
- 128MX8
- Uzunluk
- 22.22mm
- Yayın Yılı
- 2007
- Refresh Cycles
- 8192
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- JESD-609 Kodu
- e3
- Kılıf / Paket
- 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Clock Frequency
- 167MHz
- Montaj
- Surface Mount
- Address Bus Width
- 16b
- HTS Kodu
- 8542.32.00.32
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemax Vsup
- 2.7V
- Output Characteristics
- 3-STATE
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory