Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Sayısı
- 78
- Memory Width
- 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 1.35V
- Memory Format
- DRAM
- Density
- 2 Gb
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Besleme Gerilimi
- 1.283V~1.45V
- Pin Sayısı
- 78
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Data Bus Width
- 8b
- Temel Parça No
- MT41K256M8
- Kılıf / Paket
- 78-TFBGA
- JESD-609 Kodu
- e1
- HTS Kodu
- 8542.32.00.36
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.45V
- Clock Frequency
- 800MHz
- Address Bus Width
- 18b
- Sequential Burst Length
- 8
- Io Type
- COMMON
- Nominal Supply Current
- 140mA
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Interleaved Burst Length
- 8
- Ambalaj
- Tray
- Uzunluk
- 10.5mm
- Organization
- 256MX8
- Yayın Yılı
- 2012
- Refresh Cycles
- 8192
- Operating Supply Voltage
- 1.35V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Terminal Kaplaması
- TIN SILVER COPPER
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Size
- 2Gb 256M x 8
- Memory Interface
- Parallel
- Access Time
- 13.75ns
- Radyasyon Dayanımı
- No
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory