Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ambalaj
- Tray
- Density
- 4 Gb
- Memory Format
- DRAM
- Contact Plating
- Copper, Silver, Tin
- Besleme Gerilimi
- 1.35V
- Terminal Sayısı
- 96
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Width
- 16
- Memory Interface
- Parallel
- Data Bus Width
- 16b
- Memory Size
- 4Gb 256M x 16
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Operating Supply Voltage
- 1.35V
- Usage Level
- Commercial grade
- Organization
- 256MX16
- Uzunluk
- 14mm
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Number Of Ports
- 1
- Yayın Yılı
- 2017
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Pin Sayısı
- 96
- Besleme Gerilimi
- 1.283V~1.45V
- JESD-609 Kodu
- e1
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.283V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~95°C TC
- Access Time
- 20ns
- Kılıf / Paket
- 96-TFBGA
- Address Bus Width
- 15b
- Montaj
- Surface Mount
- Memory Types
- Volatile
- Clock Frequency
- 1067MHz
- Parça Durumu
- Active
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.45V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory