Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Data Bus Width
- 8b
- Memory Size
- 4Gb 512M x 8
- ECCN Kodu
- EAR99
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Operating Supply Voltage
- 1.2V
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 78
- Besleme Gerilimi
- 1.14V~1.26V
- Number Of Ports
- 1
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Organization
- 512MX8
- Uzunluk
- 10.5mm
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Yayın Yılı
- 2016
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- DRAM
- Density
- 4 Gb
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Contact Plating
- Copper, Silver, Tin
- Besleme Gerilimi
- 1.2V
- Terminal Sayısı
- 78
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Memory Width
- 8
- Memory Types
- Volatile
- Clock Frequency
- 1.2GHz
- Parça Durumu
- Obsolete
- Address Bus Width
- 15b
- Montaj
- Surface Mount
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.26V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Access Time
- 833 ps
- Kılıf / Paket
- 78-TFBGA
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.14V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~95°C TC
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory