+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
MT28EW512ABA1LJS-0SIT

Micron Technology Inc.

MT28EW512ABA1LJS-0SIT

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Memory Format
FLASH
Ambalaj
Tray
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Fonksiyon Sayısı
1
Access Time
95ns
Kılıf / Paket
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Uzunluk
18.4mm
Fabrika Tedarik Süresi
6 Weeks
Genişlik
14mm
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Write Cycle Time Word Page
60ns
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Yüzey Montaj
YES
Memory Size
512Mb 64M x 8 32M x 16
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Terminal Adımı
0.5mm
Memory Types
Non-Volatile
Memory Interface
Parallel
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
Programming Voltage
3V
Parça Durumu
Active
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Memory Density
536870912 bit
Usage Level
Industrial grade
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Alternate Memory Width
8
Montaj Tipi
Surface Mount
Memory Width
16
Besleme Gerilimi
3V
Terminal Pozisyonu
DUAL
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Organization
32MX16
Terminal Sayısı
56
Jesd30 Code
R-PDSO-G56

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek