+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

Micron Technology Inc.

MT28EW512ABA1HPN-0SIT

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Jesd30 Code
R-PBGA-B56
Terminal Sayısı
56
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Organization
32MX16
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Besleme Gerilimi
3V
Montaj Tipi
Surface Mount
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Alternate Memory Width
8
Memory Width
16
Memory Density
536870912 bit
Parça Durumu
Active
Programming Voltage
3V
Memory Types
Non-Volatile
Maks. Oturma Yüksekliği
1mm
Memory Interface
Parallel
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Terminal Adımı
0.8mm
Memory Size
512Mb 64M x 8 32M x 16
Yüzey Montaj
YES
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Write Cycle Time Word Page
60ns
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Genişlik
7mm
Fabrika Tedarik Süresi
9 Weeks
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Kılıf / Paket
56-VFBGA
Uzunluk
9mm
Access Time
95ns
Fonksiyon Sayısı
1
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Ambalaj
Tray
Memory Format
FLASH

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek