+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
MT25QU512ABB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

MT25QU512ABB8E12-0SIT

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Besleme Gerilimi
1.8V
Jesd30 Code
R-PBGA-B24
Terminal Sayısı
24
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Organization
512MX1
Usage Level
Industrial grade
Memory Density
536870912 bit
Parça Durumu
Active
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Parallelserial
SERIAL
Montaj Tipi
Surface Mount
Supply Voltagemax Vsup
2V
Memory Width
1
Yayın Yılı
2016
Yüzey Montaj
YES
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Write Cycle Time Word Page
8ms, 2.8ms
Clock Frequency
133MHz
Programming Voltage
1.8V
Memory Types
Non-Volatile
Memory Interface
SPI
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
Besleme Gerilimi
1.7V~2V
Terminal Adımı
1mm
Memory Size
512Mb 64M x 8
Ambalaj
Tray
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Memory Format
FLASH
Operating Mode
SYNCHRONOUS
Genişlik
6mm
Fabrika Tedarik Süresi
6 Weeks
Kılıf / Paket
24-TBGA
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Uzunluk
8mm
Fonksiyon Sayısı
1
Supply Voltagemin Vsup
1.7V

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek