Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Width
- 8
- Alternate Memory Width
- 1
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Usage Level
- Automotive grade
- Memory Density
- 2147483648 bit
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Parallelserial
- SERIAL
- Parça Durumu
- Active
- Jesd30 Code
- R-PBGA-B24
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Terminal Sayısı
- 24
- Organization
- 256MX8
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Genişlik
- 6mm
- Uzunluk
- 8mm
- Kılıf / Paket
- 24-TBGA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Ambalaj
- Bulk
- JESD-609 Kodu
- e1
- Memory Format
- FLASH
- Seri
- Automotive, AEC-Q100
- Programming Voltage
- 3V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Memory Interface
- SPI
- Memory Types
- Non-Volatile
- Terminal Adımı
- 1mm
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Memory Size
- 2Gb 256M x 8
- Yüzey Montaj
- YES
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Clock Frequency
- 133MHz
- Write Cycle Time Word Page
- 8ms, 2.8ms
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory