+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
M29W640GL70NB6E

Micron Technology Inc.

M29W640GL70NB6E

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Nominal Supply Current
10mA
Additional Feature
TOP BOOT BLOCK
Syncasync
Asynchronous
Memory Interface
Parallel
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Page Size
4/8words
Data Polling
YES
Memory Width
16
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Command User Interface
YES
Pin Sayısı
56
Fonksiyon Sayısı
1
Kurşunsuz Kodu
yes
Kurşunsuz
Lead Free
Kılıf / Paket
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Pin Sayısı
56
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
Access Time Max
70 ns
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Terminal Pozisyonu
DUAL
Uzunluk
18.4mm
Memory Types
Non-Volatile
Terminal Sayısı
56
Alternate Memory Width
8
Montaj Tipi
Surface Mount
Standby Currentmax
0.0001A
Temel Parça No
M29W640
Terminal Adımı
0.5mm
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Parça Durumu
Obsolete
Gerilim
2.7V
JESD-609 Kodu
e3
Toggle Bit
YES
Common Flash Interface
YES
Memory Format
FLASH
Power Supplies
3/3.3V
ECCN Kodu
3A991.B.1.A
Write Cycle Time Word Page
70ns
Number Of Sectorssize
128
HTS Kodu
8542.32.00.51

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek