+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
M29W640GB70NB6E

Micron Technology Inc.

M29W640GB70NB6E

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Pin Sayısı
56
Kılıf / Paket
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Kurşunsuz Kodu
yes
Fonksiyon Sayısı
1
Command User Interface
YES
Pin Sayısı
56
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Memory Width
16
Data Polling
YES
Page Size
4/8words
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Memory Interface
Parallel
Syncasync
Asynchronous
Additional Feature
BOTTOM BOOT BLOCK
Nominal Supply Current
10mA
Terminal Adımı
0.5mm
Temel Parça No
M29W640
Standby Currentmax
0.0001A
Montaj Tipi
Surface Mount
Boot Block
BOTTOM
Alternate Memory Width
8
Terminal Sayısı
56
Contact Plating
Tin
Memory Types
Non-Volatile
Uzunluk
18.4mm
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Terminal Pozisyonu
DUAL
Access Time Max
70 ns
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
Besleme Gerilimi
3V
HTS Kodu
8542.32.00.51
Number Of Sectorssize
8127
Write Cycle Time Word Page
70ns
ECCN Kodu
3A991.B.1.A
Memory Format
FLASH
Power Supplies
3/3.3V
Common Flash Interface
YES
Toggle Bit
YES
JESD-609 Kodu
e3
Gerilim
2.7V

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek