+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
M29W400DT55N6E

Micron Technology Inc.

M29W400DT55N6E

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Terminal
SMD/SMT
Toggle Bit
YES
Parça Durumu
Obsolete
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
JESD-609 Kodu
e3
Gerilim
2.7V
Number Of Sectorssize
1217
Write Cycle Time Word Page
55ns
Besleme Gerilimi
3.3V
HTS Kodu
8542.32.00.51
Power Supplies
3/3.3V
Memory Format
FLASH
ECCN Kodu
EAR99
Readybusy
YES
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Yüzey Montaj
YES
Terminal Kaplaması
MATTE TIN
Organization
256KX16
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Density
4 Mb
Radyasyon Dayanımı
No
Sector Size
16K8K32K64K
Genişlik
12mm
Ambalaj
Tray
Yayın Yılı
2008
Memory Size
4Mb 512K x 8 256K x 16
Memory Interface
Parallel
Syncasync
Asynchronous
Data Polling
YES
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Nominal Supply Current
10mA
Additional Feature
TOP BOOT BLOCK
Pin Sayısı
48
Kılıf / Paket
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Fonksiyon Sayısı
1
Command User Interface
YES
Pin Sayısı
48
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Memory Width
16
Kurşunsuz Kodu
yes

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek