+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
M29W128GL70N6E

Micron Technology Inc.

M29W128GL70N6E

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Common Flash Interface
YES
Toggle Bit
YES
JESD-609 Kodu
e3
Gerilim
2.7V
Parça Durumu
Obsolete
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Besleme Gerilimi
3V
HTS Kodu
8542.32.00.51
Number Of Sectorssize
128
Write Cycle Time Word Page
70ns
ECCN Kodu
3A991.B.1.A
Memory Format
FLASH
Power Supplies
3/3.3V
Readybusy
YES
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Terminal Kaplaması
MATTE TIN
Organization
8KX16
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Yüzey Montaj
YES
Radyasyon Dayanımı
No
Sector Size
128K
Ambalaj
Tray
Genişlik
14mm
Density
128 Mb
Yayın Yılı
1998
Memory Size
128Mb 16M x 8 8M x 16
Data Polling
YES
Page Size
8/16words
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Memory Interface
Parallel
Syncasync
Asynchronous
Nominal Supply Current
10mA
Pin Sayısı
56
Kılıf / Paket
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Kurşunsuz Kodu
yes
Fonksiyon Sayısı
1
Pin Sayısı
56
Command User Interface
YES
Memory Width
16
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek