+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
M29DW323DB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29DW323DB70ZE6E

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

ECCN Kodu
3A991.B.1.A
Power Supplies
3/3.3V
Memory Format
FLASH
Besleme Gerilimi
3V
HTS Kodu
8542.32.00.51
Number Of Sectorssize
863
Write Cycle Time Word Page
70ns
JESD-609 Kodu
e1
Gerilim
2.7V
Parça Durumu
Obsolete
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Common Flash Interface
YES
Terminal
SMD/SMT
Toggle Bit
YES
Memory Size
32Mb 4M x 8 2M x 16
Yayın Yılı
2004
Radyasyon Dayanımı
No
Sector Size
8K64K
Ambalaj
Tray
Genişlik
6mm
Density
32 Mb
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Organization
2MX16
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Yüzey Montaj
YES
Readybusy
YES
Kurşunsuz Kodu
yes
Fonksiyon Sayısı
1
Pin Sayısı
48
Command User Interface
YES
Memory Width
16
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Pin Sayısı
48
Kılıf / Paket
48-TFBGA
Additional Feature
BOTTOM BOOT BLOCK
Nominal Supply Current
10mA
Data Polling
YES
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Memory Interface
Parallel

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek