+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
M29DW256G70NF6E

Micron Technology Inc.

M29DW256G70NF6E

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Parça Durumu
Obsolete
Nominal Supply Current
10mA
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Gerilim
2.7V
JESD-609 Kodu
e3
Memory Interface
Parallel
Syncasync
Asynchronous
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Memory Width
16
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Fonksiyon Sayısı
1
Word Size
16b
Memory Format
FLASH
Kurşunsuz Kodu
yes
Write Cycle Time Word Page
70ns
Kılıf / Paket
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Besleme Gerilimi
3V
Pin Sayısı
56
Yüzey Montaj
YES
Address Bus Width
24b
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Terminal Kaplaması
MATTE TIN
Organization
16MX16
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
Access Time Max
70 ns
Terminal Pozisyonu
DUAL
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Uzunluk
18.4mm
Memory Types
Non-Volatile
Yayın Yılı
2012
Terminal Sayısı
56
Memory Size
256Mb 16M x 16
Density
256 Mb
Montaj Tipi
Surface Mount
Ambalaj
Tray
Temel Parça No
M29DW256
Radyasyon Dayanımı
No
Terminal Adımı
0.5mm

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek